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 Nп/п : 70 из 100
 От   : ScienceDaily                        1:317/3           13 июл 23 22:30:28
 К    : All                                                   13 июл 23 07:39:24
 Тема : New material could hold key to reducing
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@MSGID: 1:317/3 64b0cf89
@PID: hpt/lnx 1.9.0-cur 2019-01-08
@TID: hpt/lnx 1.9.0-cur 2019-01-08
 New material could hold key to reducing energy consumption in computers
and electronics 
 University of Minnesota researchers create thin film of unique semimetal
for the first time 

  Date:
      July 13, 2023
  Source:
      University of Minnesota
  Summary:
      A University of Minnesota Twin Cities team has, for the first time,
      synthesized a thin film of a unique topological semimetal material
      that has the potential to generate more computing power and memory
      storage while using significantly less energy.


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FULL STORY
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A University of Minnesota Twin Cities team has, for the first time,
synthesized a thin film of a unique topological semimetal material that
has the potential to generate more computing power and memory storage
while using significantly less energy. The researchers were also able
to closely study the material, leading to some important findings about
the physics behind its unique properties.

The study is published in Nature Communications, a peer-reviewed
scientific journal that covers the natural sciences and engineering.

As evidenced by the United States` recent CHIPS and Science Act, there
is a growing need to increase semiconductor manufacturing and support
research that goes into developing the materials that power electronic
devices everywhere.

While traditional semiconductors are the technology behind most of
today`s computer chips, scientists and engineers are always looking
for new materials that can generate more power with less energy to make
electronics better, smaller, and more efficient.

One such candidate for these new and improved computer chips is a class
of quantum materials called topological semimetals. The electrons
in these materials behave in different ways, giving the materials
unique properties that typical insulators and metals used in electronic
devices do not have. For this reason, they are being explored for use in
spintronic devices, an alternative to traditional semiconductor devices
that leverage the spin of electrons rather than the electrical charge
to store data and process information.

In this new study, an interdisciplinary team of University of Minnesota
researchers were able to successfully synthesize such a material as a
thin film -- and prove that it has the potential for high performance
with low energy consumption.

"This research shows for the first time that you can transition from a
weak topological insulator to a topological semimetal using a magnetic
doping strategy," said Jian-Ping Wang, a senior author of the paper and
a Distinguished McKnight University Professor and Robert F. Hartmann
Chair in the University of Minnesota Department of Electrical and
Computer Engineering.

"We`re looking for ways to extend the lifetimes for our electrical devices
and at the same time lower the energy consumption, and we`re trying to
do that in non-traditional, out-of-the-box ways."  Researchers have
been working on topological materials for years, but the University
of Minnesota team is the first to use a patented, industry- compatible
sputtering process to create this semimetal in a thin film format.

Because their process is industry compatible, Wang said, the technology
can be more easily adopted and used for manufacturing real-world devices.

"Every day in our lives, we use electronic devices, from our cell
phones to dishwashers to microwaves. They all use chips. Everything
consumes energy," said Andre Mkhoyan, a senior author of the paper and
Ray D. and Mary T. Johnson Chair and Professor in the University of
Minnesota Department of Chemical Engineering and Materials Science. "The
question is, how do we minimize that energy consumption? This research is
a step in that direction. We are coming up with a new class of materials
with similar or often better performance, but using much less energy."
Because the researchers fabricated such a high-quality material, they were
also able to closely analyze its properties and what makes it so unique.

"One of the main contributions of this work from a physics point of view
is that we were able to study some of this material`s most fundamental
properties," said Tony Low, a senior author of the paper and the Paul
Palmberg Associate Professor in the University of Minnesota Department
of Electrical and Computer Engineering. "Normally, when you apply a
magnetic field, the longitudinal resistance of a material will increase,
but in this particular topological material, we have predicted that it
would decrease. We were able to corroborate our theory to the measured
transport data and confirm that there is indeed a negative resistance."
Low, Mkhoyan, and Wang have been working together for more than a decade
on topological materials for next generation electronic devices and
systems - - this research wouldn`t have been possible without combining
their respective expertise in theory and computation, material growth
and characterization, and device fabrication.

"It not only takes an inspiring vision but also great patience across
the four disciplines and a dedicated group of team members to work on
such an important but challenging topic, which will potentially enable
the transition of the technology from lab to industry," Wang said.

In addition to Low, Mkhoyan, and Wang, the research team included
University of Minnesota Department of Electrical and Computer Engineering
researchers Delin Zhang, Wei Jiang, Onri Benally, Zach Cresswell, Yihong
Fan, Yang Lv, and Przemyslaw Swatek; Department of Chemical Engineering
and Materials Science researcher Hwanhui Yun; Department of Physics
and Astronomy researcher Thomas Peterson; and University of Minnesota
Characterization Facility researchers Guichuan Yu and Javier Barriocanal.

This research is supported by SMART, one of seven centers of nCORE,
a Semiconductor Research Corporation program, sponsored by National
Institute of Standards and Technology (NIST). T.P. and D.Z. were partly
supported by ASCENT, one of six centers of JUMP, a Semiconductor Research
Corporation program that is sponsored by MARCO and DARPA. This work
was partially supported by the University of Minnesota`s Materials
Research Science and Engineering Center (MRSEC) program under award
number DMR-2011401 (Seed). Parts of this work were carried out in the
Characterization Facility of the University of Minnesota Twin Cities,
which receives partial support from the National Science Foundation
through the MRSEC (Award NumberDMR-2011401). Portions of this work were
conducted in the Minnesota Nano Center, which is supported by the NSF Nano
Coordinated Infrastructure Network (NNCI) under Award Number ECCS-2025124.

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Them Story Source: Materials provided by University_of_Minnesota. Note:
Content may be edited for style and length.


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Journal Reference:
   1. Delin Zhang, Wei Jiang, Hwanhui Yun, Onri Jay Benally, Thomas
   Peterson,
      Zach Cresswell, Yihong Fan, Yang Lv, Guichuan Yu, Javier Garcia
      Barriocanal, Przemyslaw Wojciech Swatek, K. Andre Mkhoyan, Tony Low,
      Jian-Ping Wang. Robust negative longitudinal magnetoresistance and
      spin- orbit torque in sputtered Pt3Sn and Pt3SnxFe1-x topological
      semimetal.

      Nature Communications, 2023; 14 (1) DOI: 10.1038/s41467-023-39408-2
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Link to news story:
https://www.sciencedaily.com/releases/2023/07/230713142046.htm

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 * Origin: -=> Castle Rock BBS <=- Now Husky HPT Powered! (1:317/3)
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